台积电最新制程工艺路线图：预计明年下半年3纳米芯片投产景洪

与非网4月28日讯，据悉，全球最大芯片代工厂商台积电更新了其最新的制程工艺路线图，4纳米工艺芯片将会在2021年底进入“风险生产”阶段，并于2022年实现量产；3纳米芯片预计在2022年下半年投产，而2纳米工艺正在开发当中。

2纳米工艺方面，台积电表示由于物理限制将无法使用原有的全栅场效应晶体管（GAAFET）。研发团队目前正全力寻找下一代新材料，新的晶体管技术将在未来许多年里被广泛使用。

台积电总裁魏哲家表示：目前市场上先进制程的产品需求旺盛，台积电生产的5纳米芯片拥有优异的表现，如今要求与台积电合作5纳米、3纳米产品的客户越来越多。

预估在产能方面，台积电仍然是一枝独秀，没有任何竞争对手威胁台积电的主导地位。台积电重申，它们有信心会令2nm（N2）、3nm（N3）和4nm（N4）工艺按时间推出，并且保持比竞争对手更先进的节点工艺优势。

今年年初，台积电把2021年的资本支出预算大幅提高到250亿到280亿美元，而最近更是追加到300亿美元。未来三年台积电计划总共投入1000亿美元实现产能增加和研发投入。

在台积电今年300亿美元的资本预算中，约80%将用于扩大先进技术的产能，如3纳米、4纳米、5纳米、6纳米以及7纳米芯片。今年年底，先进节点上的大部分资金将用于将台积电的5纳米产能扩大到每月11万至12万片晶圆。

魏哲家在最近与分析师和投资者的电话会议上表示：“作为一家领先的晶圆代工企业，台积电在成立30多年的历史中从未缺乏竞争，但我们知道如何竞争。我们将继续专注于提供领先的技术、卓越的制造服务，并赢得客户的信任。其中，赢得客户信任是相当重要的，因为我们没有与客户竞争的内部产品。”

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